Vertikal Stack Diod Lazer Lazer lazerlari so'nggi yillarda eng tez o'sib borayotgan va keng qo'llaniladigan yangi lazerlardir. Uning rivojlanishi yarimo'tkazgichli lazerlarning rivojlanishi bilan ajralib turmaydi. 1960 yaqut lazerining birinchi debyuti. 1962 yilda birinchi bir hil gallium arsenid yarimo'tkazgichli lazer birikmasi paydo bo'ldi. 1963 yilda Nyuman birinchi marta yarimo'tkazgichni qattiq jismli lazerli nasos manbai tushunchasi sifatida foydalanishni taklif qildi. LD chiqish quvvati oshishi bilan Ross 1968 yilda birinchi bo'lib GaAs lazeridan foydalanishni amalga oshirdi Vertical Stack Diod Laser pompalanadigan Nd: YAG lazeridan. 1973 yilda birinchi marta impulsli LD so'nggi nasosli Nd: YAG lazerlari haqida xabar berildi va so'nggi nasosning afzalliklariga ishora qildi. Chesler va Singh singdirilgan lazerning ko'p ko'ndalang rejimda va bitta ko'ndalang rejimda nazariy modelini berishadi va bir xil nasos taxminiga asoslangan nazariy nasos chegarasi asosan tajriba natijalariga mos keladi. 1976 yilda ultra nurli vertikal Stak Diodli lazerli so'nggi pompalanadigan Nd: YAG lazerlari xona haroratida doimiy ravishda ishlaydilar. 1980-yillardan boshlab yarimo'tkazgichli lazer va uning qator tadqiqot ishlari katta yutuqlarga erishdi, qattiq holatdagi lazer moslamalarini, texnologiyasini va dasturlarni ishlab chiqishni katta darajada rivojlantirdi va qattiq holatdagi lazerlarning har tomonlama tiklanishiga olib keldi. Metall organik kimyoviy bug 'birikmasi (MOCVD) va molekulyar nur epitaksi (MBE) kabi kristalli o'sish texnologiyasi va kvant qudug'ining paydo bo'lishi bilan LD ning tok kuchi kamayadi, konversion samaradorligi va chiqish quvvati sezilarli darajada yaxshilanadi. takomillashtirilgan, bitta yarimo'tkazgichli lazer massivining chiqish quvvati 1W dan 2W gacha. 100mw dan 200mw.90 yilgacha bo'lgan bitta LD uzluksiz chiqish quvvati, vertikal stakli diodli lazer ishlab chiqarish texnologiyasi va ishlab chiqarish jarayoni asta-sekin etuk, hayoti va ishonchliligi sezilarli darajada yaxshilandi, bu DPLni ishlab chiqish va yangi yutuqlarni qo'llash ayniqsa muhimdir. 1992 yil Amerika Qo'shma Shtatlari Laurent - Rivermore milliy laboratoriyasi kilovattli yuqori quvvatli vertikal stak diodli lazerli nasosli lazerlarni muvaffaqiyatli ishlab chiqdi. 1994 yilda AQSh Energetika vazirligi" National Agnition Facility" dastur. 2001 yil Akiyama va boshq. 5.4 kVt quvvatli elektro-optik konvertatsiya qilish samaradorligi 22% bo'lgan lazer ishlab chiqarishni olish uchun uch tomonlama nasosli Nd: YAG lazeridan foydalanilgan. 2002 yilda Amerika Qo'shma Shtatlarining TRW kompaniyasi 5,4 kVt quvvatga ega vertikal Stack Diod Laser lazerini Nd: YAG pompaladi. 2006 yilda Amerika Qo'shma Shtatlari Nordisk 19 kVt quvvatli lazer ishlab chiqarishni muvaffaqiyatli qo'lga kiritdi. Xulosa qilib aytganda, DPL qattiq jismlarning lazerlarida eng dinamik va istiqbolli hisoblanadi.
Vertical Stack Diode Laser-pumper lazer yuqori quvvat, yuqori nurli sifat chiqishi, kichik issiqlik effekti, yuqori samaradorlik va ixcham qurilma tuzilishining afzalliklariga ega bo'lgani uchun u axborot texnologiyalarining asosiy qurilmasiga aylanadi. Uning keng doirasi, keng to'lqin uzunligi oralig'i, rivojlanish tezligi boshqa turdagi lazerlarga mos kelmaydi.
Hozirgi vaqtda Vertikal Stack Diod Lazer pompalanadigan qattiq holatdagi lazerlarning maydoni juda keng, masalan, harbiy, tibbiyot, sanoat va boshqa sohalarda.