Elyafli diodli lazerli nasosli lazerlar so'nggi yillarda eng tez o'sib borayotgan va keng qo'llaniladigan yangi lazerlardir. Uning rivojlanishi yarimo'tkazgichli lazerlarning rivojlanishi bilan ajralib turmaydi. 1960 yaqut lazerlarining birinchi debyuti. 1962 yilda birinchi bir hil gallium arsenid yarimo'tkazgichli lazer birikmasi paydo bo'ldi. 1963 yilda Nyuman birinchi marta yarimo'tkazgichni qattiq jismli lazerli nasos manbai tushunchasi sifatida foydalanishni taklif qildi. LD chiqish quvvati oshishi bilan Ross 1968 yilda birinchi bo'lib GaAs Fiber bilan bog'langan diodli lazer yordamida Nd: YAG lazeridan foydalanishni amalga oshirdi. 1973 yilda birinchi marta impulsli LD so'nggi nasosli Nd: YAG lazerlari haqida xabar berildi va so'nggi nasosning afzalliklariga ishora qildi. Chesler va Singh singdirilgan lazerning ko'p ko'ndalang rejimda va bitta ko'ndalang rejimda nazariy modelini berishadi va bir xil nasos taxminiga asoslangan nazariy nasos chegarasi asosan tajriba natijalariga mos keladi. 1976 yilda ultra nurli diodli Nd: YAG lazerlari doimiy ishlash uchun xona haroratida pompalandi. 1980-yillardan boshlab yarimo'tkazgichli lazer va uning qator tadqiqot ishlari katta yutuqlarga erishdi, qattiq holatdagi lazer moslamalarini, texnologiyasini va dasturlarni ishlab chiqishni katta darajada rivojlantirdi va qattiq holatdagi lazerlarning har tomonlama tiklanishiga olib keldi. Metall organik kimyoviy bug 'birikmasi (MOCVD) va molekulyar nur epitaksi (MBE) kabi kristalli o'sish texnologiyasi va kvant qudug'ining paydo bo'lishi bilan LD ning tok kuchi kamayadi, konversion samaradorligi va chiqish quvvati sezilarli darajada yaxshilanadi. takomillashtirilgan, bitta yarimo'tkazgichli lazer massivining chiqish quvvati 1W dan 2W gacha. 100mw dan 200mw.90 yilgacha bo'lgan bitta LD uzluksiz chiqish quvvati, tolali qo'shma diodli lazer ishlab chiqarish texnologiyasi va ishlab chiqarish jarayoni asta-sekin pishib, hayoti, ishonchliligi sezilarli darajada yaxshilandi, bu DPLni ishlab chiqish va yangi yutuqlarni qo'llash ayniqsa muhimdir. 1992 yil, Amerika Qo'shma Shtatlari Laurent - Rivermore milliy laboratoriyasi kilovattli yuqori quvvatli diodli nasosli lazerlarni muvaffaqiyatli ishlab chiqdi. 1994 yilda AQSh Energetika vazirligi" National Agnition Facility" dastur. 2001 yil Akiyama va boshq. 5.4 kVt quvvatli elektro-optik konvertatsiya qilish samaradorligi 22% bo'lgan lazer ishlab chiqarishni olish uchun uch tomonlama nasosli Nd: YAG lazeridan foydalanilgan. 2002 yilda Amerika Qo'shma Shtatlarining TRW kompaniyasi 5,4 kVt quvvatga ega Nd: YAG lazer pompalanadigan tolali qo'shma diodli lazer ishlab chiqardi. 2006 yilda Amerika Qo'shma Shtatlari Nordisk kompaniyasi 19 kVt quvvatli lazer ishlab chiqarishga muvaffaq bo'ldi. Xulosa qilib aytganda, DPL qattiq jismlarning lazerlarida eng dinamik va istiqbolli hisoblanadi.
Diyot pompalanadigan lazer yuqori quvvat, yuqori nurli sifat chiqishi, kichik issiqlik effekti, yuqori samaradorlik va ixcham qurilma tuzilishining afzalliklariga ega bo'lgani uchun u axborot texnologiyalarining asosiy qurilmasiga aylanadi. Uning keng doirasi, keng to'lqin uzunligi oralig'i, rivojlanish tezligi boshqa turdagi lazerlarga mos kelmaydi.
Hozirgi vaqtda diodli nasosli qattiq holatdagi lazerlarning maydoni juda keng, masalan, harbiy, tibbiyot, sanoat va boshqa sohalarda.
O'tkazilgan kalit va uning qo'zg'atuvchi manba tizimi ultra tezkor yuqori quvvatli impuls manbai sifatida, optik izolyatsiyaga ega, dastur fonida qurolni yoqish moslamasi bo'lib, elektromagnit parazitga samarali qarshilik ko'rsatishi va ishonchliligini oshirishi mumkin; Shu bilan birga, ultra tezkor yuqori quvvatli impuls manbai, shovqin va qarama-qarshilik va tegishli texnik sohalar.
Chet el tadqiqot guruhi GaAs foto o'tkazgich kalitlari yuzasida bir qator chiziqli tok simlarini olish uchun murakkab optik tizimdan foydalangan. 1 santimetrlik bo'shliq tugmachasi quvvat darajasining lazer nuri bilan qo'zg'atildi. To'g'ri kuchlanish 60 kV bo'lganida, kA darajasi tok kuchi.
Yomon kuchlanishning ishi xorijiy tadqiqot guruhining 1-darajasidan pastroq, tetikning yorug'lik energiyasining hajmi 3 ta chet el darajasidan past, yuqori tokning kA kattaligini olish uchun bitta tijorat tolasi bilan bog'langan diodli lazerdan foydalanish . GaAs fotokonduktiv kaliti va uning qo'zg'alish tizimi barcha qattiq, kichik o'lchamlari va arzon narxlari ustunligi bilan.
Innovatsion ishlar asosan:
(1) Katta qattiq holatdagi lazer haqida an'anaviy eslatish o'rniga, tolali bog'langan diodli lazer bilan tetikli yorug'lik manbai uchun GaAs fotokonduktorli kalit. Siz arzon narxlardagi, kichik hajmli yuqori quvvatli impuls manbasini olishingiz mumkin.
(2) GaAs fotokonduktiv kaliti tirgovichi dizayni, yuqori bosimli dizayni, kuchsiz nurli tirgakdagi mikro-fokusni, kuchli oqim pulsining kA kattaligidagi sub-ohm yukini.
(3) elektron impuls to'lqin shaklini tushuntirish uchun elektron model va optik qo'zg'alish zaryad doirasi nazariyasi yordamida qulflangan hodisalar paydo bo'lmaydi.