Oqimning kritik zichligi ostidagi oqimlar lazer diodli inyeksiya paytida, lyuminesans mexanizmi asosan o'z-o'zidan emissiya bo'lib, kengroq spektral dispersiya, o'tkazuvchanlik kengligi 100 dan 500 gacha angstrom (PSV=10-1 nano), bu buyurtmalarning bir nechta atom diametrlaridan biridir. PSV orasidagi kattalik.Lekin oqim zichligi kritik qiymatdan oshib ketganda, tebranishlar paydo bo'la boshladi va natijada bir nechta modal qoldi va tarmoqli kengligi 30 angstromgacha qisqartirildi, bundan tashqari lazer diodasining quvvat sarfi juda kichik, ikki heterostrukturali lazerda Masalan, maksimal voltaj darajasi odatda 2 voltdan kam, kirish oqimi 15 dan 100 Ma gacha, quvvat sarfi bir vattdan kam, o'nlab Vattning chiqish quvvati.
Lazer diodasining xususiyatlari, modulyatsiya chiqishidan biri to'g'ridan-to'g'ri yorug'likning oqim kuchidan. Chiqish quvvati va asosan kirish oqimi orasidagi chiziqli aloqalar tufayli lazer diodlari oqimning chiqish intensivligining analog yoki raqamli to'g'ridan-to'g'ri modulyatsiyasidan foydalanish mumkin, shuning uchun qimmat modulatorlarni yo'q qilish mumkin, shuning uchun arzonroq diodli dasturlar.